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　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾和美光科技星期一預(yù)計(jì)將宣布這兩家公司將推出全球第一個(gè)基于25納米NAND閃存技術(shù)的芯片。這種25納米的8GB閃存芯片目前還是樣品，預(yù)計(jì)將在2010年下半年之前開(kāi)始大批量生產(chǎn)。

　　作為目前應(yīng)用的最小的NAND閃存技術(shù)，25納米生產(chǎn)工藝與2008年推出的34納米技術(shù)相比將顯著減小芯片的尺寸。

　　這兩家公司稱，這種新的生成工藝能夠在一個(gè)只有167平方毫米(能夠穿過(guò)CD光盤(pán)中間的圓孔)的比1便士硬幣還小的單個(gè)NAND芯片上制作8GB的存儲(chǔ)容量。由于這是一種通用的閃存芯片，它可以用于任何需要閃存存儲(chǔ)的設(shè)備上，如數(shù)碼相機(jī)、MP3播放機(jī)和固態(tài)硬盤(pán)。

　　Objective Analysis在研究報(bào)告中說(shuō)，由于芯片的尺寸是167平方毫米，一個(gè)300毫米加工廠每個(gè)晶圓能夠生產(chǎn)出400多個(gè)芯片。這將使生產(chǎn)成本達(dá)到每個(gè)芯片大約4美元，或者每GB存儲(chǔ)容量0.50美元。由于2009年NAND閃存的價(jià)格一直是每GB大約2.00美元，并且似乎在2010年將繼續(xù)保持這個(gè)價(jià)格，25納米生產(chǎn)工藝將給這兩家公司帶來(lái)比目前的34納米工藝更高的毛利潤(rùn)率。目前34納米芯片的成本預(yù)計(jì)是每GB存儲(chǔ)容量1.00美元。

　　美光科內(nèi)存事業(yè)部技副總裁Brian Shirley上周四解釋25納米芯片技術(shù)時(shí)說(shuō)，如果人類的一根頭發(fā)是1英里寬，25納米技術(shù)就相當(dāng)于21英寸。

　　這種新的閃存技術(shù)大約是容量最大的34納米芯片密度的一倍，但是使用的芯片是一樣大的。這種25納米芯片支持開(kāi)放NAND閃存接口2.2標(biāo)準(zhǔn)，吞吐量為每秒200MB。

　　這種25納米芯片將由英特爾和美光科技在2006年創(chuàng)建的合資企業(yè)IM Flash Technologies生產(chǎn)。這個(gè)合作企業(yè)在創(chuàng)建時(shí)是使用的50納米生產(chǎn)工藝，現(xiàn)在是第三次減小生產(chǎn)工藝尺寸。